Кремниевая память может изменить рынок электроники

Учёные из Райсовского университета США объявили о создании нового типа постоянной памяти, состоящей только из кремния и позволяющей создавать дешёвые и надёжные устройства хранения со сверхплотной записью информации.
Суть технологии заключается в использовании для создания единичной ячейки памяти тонкого слоя оксида кремния, располагаемого между двумя кремниевыми электродами с габаритами не более 5 нм. В нормальном состоянии оксид кремния является диэлектриком, тогда как кремний обладает свойствами полупроводника. Таким образом, прилагая электрический потенциал к кремниевым электродам, можно добиться выведения части атомов кислорода из кристаллической решетки оксида и создания в нём тонкого проводящего стержня из атомов кремния. Этот стержень превращает слой диэлектрика в полупроводник, резко повышая его электропроводность. Разрушить стержень можно, приложив короткий импульс переменного напряжения к кремниевым электродам. Изменяя свойства ячейки памяти с диэлектрических на полупроводниковые и обратно, можно легко хранить информацию в виде логических 0 или 1.
Что особенно важно, новая технология использует электроды с габаритами всего в 5 нм, что как минимум в 4 раза меньше, чем у современных элементов flash-памяти. Более того, для изготовления единичных запоминающих ячеек flash-памяти (каждая из которых имеет, кстати, 3 электрода) применяются также дополнительные химические элементы, тогда как новый запоминающий элемент представляет собой предельно простое 2D-устройство, геометрия которого позволит создавать 3D-чипы для хранения информации. Но что особенно важно, массовое производство новых модулей памяти можно наладить на уже имеющихся микроэлектронных производствах, поскольку разработка использует, по сути, давно известные технологии.
Все эти преимущества новой памяти позволяют её создателям утверждать, что их детище сможет занять лидирующее положение на рынке в самые кратчайшие сроки. Ведь помимо всего прочего новые элементы, благодаря своей простоте, устойчивы к действию ионизирующего излучения и других факторов, вызывающих сбои в работе flash-памяти, а значит их можно использовать не только в бытовых устройствах, но и в требующих повышенной надёжности (например, в космической отрасли).
В заключение осталось добавить, что в настоящее время опытные образцы кремниевых элементов памяти проходят тестирование в лабораториях одной из частных компании.


Рекомендуем почитать: